内容正文:
学校: 班级: 姓名: 考号:□□□
××××××××××密××××××封××××××线××××××不××××××得××××××答××××××题××××××××
成都市电子学校2022—2023学年度上期期中考试
22级(电子专业)电子技术试题
考试时间 60 分钟 总分 100 适用班级 高一电子专业 命题人
一、选择题(共5题,每题4分)
1.本征半导体内的载流子是( )。
A.空穴 B.自由电子 C.自由电子与空穴
2.杂质半导体少数载流子产生的原因是( )。
A.外电场 B.掺杂 C.热激发
3.PN结最大的特点具有( )。
A.不导电性 B.单向导电性 C.双向导电性
4.煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的( )。
A.光敏特性 B.气敏特性 C.热敏特性
5.当温度升高时,半导体电阻将( )。
A.增大 B.减少 C.不变
二、判断题(共5题,每题4分)
( )1.半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。
( )2.P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。
( )3.在半导体内部,只有电子能传导电流。
( )4.电子带负电,空穴带正电。
( )5.二极管出现死区电压的原因是因为外加电场对内电场的削弱能力太弱,不足以导通。
三、填空题(共5题,每题4分)
1.半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质,最常用的半导体材料有__________和___________。
2.N型半导体中多数载流子是_________,P型半导体中多数载流子是_________。
3.PN结的正向接法为:P区接电源______极,N区接电源______极。
4.PN结具有____________性能,即加正向电压时,PN结_______;加反向电压时,PN结_________。
5.硅二极管的正向导通电压为 V,锗二极管的正向导通电压为 V。
四、综合题(40分)
根据以下给出的一些过程,从微观载流子的运动描述PN结的形成过程。
用序号表示的过程为:
A 漂移运动加强
B 扩散运动变强
C P型材料和N型材料接触
D 载流子因浓度差产生扩散运动
E 空间电荷区变窄
F 形成空间电荷区,内建电场
G 空间电荷区变宽内电场变强
H 动态循环,最后空间电荷区的宽度稳定
1 / 1
学科网(北京)股份有限公司
$