内容正文:
第一篇 微积分
V1
项目三 电子元器件(中)
电子技术工艺基础
1
目录页
CONTENTS PAGE
项目三 电子元器件(中)
任务一 检测晶体二极管
任务二 检测集体三机管
任务三 检测集成电路
任务四 检测晶闸管与场效应管
1
任务四 检测晶闸管与
场效应管
任务实施
知识 2 认识场效应管
实施 1 晶闸管的检测
预备知识
知识 1 认识晶闸管
实施 2 场效应管的检测
过渡页
TRANSITION PAGE
1
知识 认识晶闸管
一、 晶闸管的基本结构和分类
1.晶闸管的基本结构
常用晶闸管的外形如图3-16所示,它由3个PN结组成三端四层结构,三端分别为阳极(A)、阴极(C)、控制级(G)。晶闸管的结构和电路图形符号如图3-17所示,在电路中用“SCR”表示。
(a)螺栓式 (b)平板式 (c)塑封式
图3-16 常用晶闸管的外形
(a)结构 (b)电路图形符号
图3-17 晶闸管的结构和电路图形符号
1
知识 认识晶闸管
2.晶闸管的基本分类
根据工作特性的不同,晶闸管可分为普通晶闸管(即单向晶闸管)、可关断晶闸管、双向晶闸管等,其中最常用的是普通晶闸管。目前,国产晶闸管有螺栓式、平板式和塑封式3种。
不同类型晶闸管的用途也不同。双向晶闸管主要用于交流控制电路,如灯光的控制、温度的调整等。可关断晶闸管主要用作无触点开关,它能方便地控制电路的通断。较常用晶闸管的型号为3CT型。
1
知识 1 认识电感器
二、 晶闸管的主要技术参数
正向阻断峰值电压是在晶闸管的控制极断路和正向阻断的条件下,可加到晶闸管A、C两端的正向电压的最大值。使用时,晶闸管的实际正向电压不能超过这个数值。
1. 正向阻断峰值电压
2. 反向阻断峰值电压
反向阻断峰值电压是指控制极断路时,可以加到晶闸管两极的反向电压的最大值。此电压规定为反向击穿电压值的80%,使用时,应注意晶闸管的反向电压不能超过这一数值。
正、反向阻断峰值电压一般相等,统称为峰值电压。当两者不等时,峰值电压则是指其中较小者。
1
知识 1 认识电感器
二、 晶闸管的主要技术参数
3. 额定正向平均电流
额定正向平均电流是指在规定的环境温度(40℃以下)和散热条件下,可以连续通过50 Hz正弦波半波电流的平均值。
通常说的5 A或10 A的晶闸管是指额定正向平均电流为5 A或10 A。
4. 控制极触发电压
控制极触发电压是指在规定的环境温度下,阳极与阴极间加一定正向电压,晶闸管从关断到导通时控制极所需的最小直流电压。小功率晶闸管的触发电压为1 V左右,中功率以上的晶闸管的触发电压为几伏到几十伏。
1
知识 1 认识电感器
二、 晶闸管的主要技术参数
5. 控制极触发电流
6. 维持电流
控制极触发电流是指在规定的环境温度下,阳极与阴极间加一定正向电压,使晶闸管完全导通时控制极所需的最小直流电流。小功率晶闸管的触发电流为零点几毫安到几毫安,中功率以上的晶闸管的触发电流为几毫安到几百毫安。
维持电流是指在规定的环境温度和控制极断路的条件下,维持晶闸管导通的最小正向电流。
1
知识 2 认识场效应管
1. 结型场效应管
如图3-18所示,结型场效应管是在一块N型(或P型)硅半导体两侧,用扩散的方法生成两个PN结,再分别引出电极S(源极)、D(漏极)、G(栅极)。这3个电极对应普通三极管的E、C、B极。两个PN结中间的N型(或P型)区域称为导电沟道,所以结型场效应管可分为N沟道型和P沟道型两种。
一、 场效应管的结构
根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。
(a)N沟道结型场效应管 (b)P沟道结型场效应管
图3-18 结型场效应管
1
知识 2 认识场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
按其工作状态的不同,绝缘栅型场效应管可分为增强型和耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道之分,其电路图形符号如图3-19所示。
(a)N沟道符号 (b)P沟道符号
图3-19 绝缘栅型场效应管的电路图形符号
1
知识 2