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银川一中2021/2022学年度(下)高二期中考试
物理试卷
命题教师:马文娇
一、单选题(每题3分,共30分)
1.在物理学发展的过程中,许多物理学家的科学发现推动了人类历史的进步,在对以下几位物理学家所做
科学贡献的叙述中,正确的说法是()
A.楞次首先发现通电导线周围存在磁场
B.安培首先发现通电导线周围存在磁场
C.法拉第首先发现电磁感应现象
D.奥斯特首先发现电磁感应现象
2.下列情况中,线圈都以角速度w绕图中的转轴OO匀速转动.不能产生交变电流的是()
B
B
B
XO
3.下列关干图片相关内容解释错误是()
接高规交
流电源
真空治炼护
电磁炉加热食物。
用硅钢片做变压器的铁芯
探雷
A.真空冶炼炉利用涡流通过金属产生的热量使金属熔化
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B.电磁炉接直流电也可以正常工作
C.用互相绝缘的硅钢片叠成的铁芯来代替整块硅钢铁芯可以减小变压器铁芯中的涡流
D.用来探测金属壳的地雷或有较大金属军件的地雷的探雷器是利用涡流工作的
4.如图所示,理想变压器原线圈的匝数为1000匝.两个副线圈的匝数分别为n2=50匝、3=100匝,
L1是“6V、2W"的小灯泡.L2是“12V、4W的小灯泡,当n1接上交流电压时.L1、L2都正常发光,那么,
原线圈中的电流为(
n
B.LA
D.
1
A.
A
60
20
40
5.下列说法中不正确是()
A.显微镜下观察到墨水中的小碳粒在不停的做无规则运动,这反映了液体分子运动的无规则性
B.某气体的摩尔质量为M,摩尔体积为V密度为,每个分子的体积为6,则阿伏加德罗常数为NA一了
C.物质由大量的分子组成.分子间有间隙
D.在真空、高温条件下,可以利用分子扩散向半导体材料中掺入其它元秦
6.如图所示,圆环形导体线圈a平放在水平桌面上,在的正上方固定一竖直螺线管b,二者轴线重合
螺线管与电源和滑动变阻器连接成如图所示的电路。若将滑动变阻器的滑片P向下滑动.下列表述正确的
是()
A.线圈a有扩张的趋势
B.穿过线圈a的磁通量变小
C,线圈a对水平桌面的压力F将减小
D.线圈a中将产生俯视逆时针方向的感应电流
7.如图1所示,细导线绕制的螺线管匝数n=1500匝,横截面积S=20cm2,导线电阻r=12,电阻
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R=4?,A点接地.磁场穿过螺线管,磁感应强度B随时间t变化的图象如图2所示(以向右为正方向),
下列说法正确的是()
↑B/T
B
6
t/s
图1
图2
A.通过电阻R的电流方向是从A到C
B.感应电流的大小保持不变为2.4A
C.电阻R的电压为6V
D.C点的电势为4.8V
8.如图所示,平行导轨MN、PQ间距为d,M、P间接一个电阻R.匀强磁场的磁感应强度大小为B.方
向垂直干平行金属导轨所在的平面向里。一根足够长的金属杆b第一次垂直干导轨放置.第二次与导轨成
60°角放置。金属杆和导轨的电阻不计.当金属杆两次均以速度V沿垂直干杆的方向滑行时,下列说法正确
的是()
Ma a
R
1
b
A.两次电阻R上的电压相等
8.第一次和第二次金属杆中感应电流之比为
2
C,第一次和第二次金属杆受到的安培力大小之比为)
D.第一次和第二次电阻R上的电功率之比为
3
9.“凸“字形硬质闭合金属线框各边长如图所示,线框右侧有一宽度为3L匀强磁场区域.磁场方向垂直干
纸面向外。线框在纸面内始终以速度V向右匀速运动,t=0时,线框开始进入磁场。规定顺时针方向为电
流的正方向,在线框穿过匀强磁场区域的过程中线框中的感应电流随时间t变化的图像正确的是()
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剪组卷四
-3L→
●
●
B
D
10.如图所示,某空间存在一磁感应强度大小为B.方向垂直干纸面(竖直平面)向里的匀强磁场区域,磁
场的上、下边界均为水平面且间距为L,纸面内磁场上边界的上方有一质量为m,电阻为R的正方形导线
框abcd.其边长也为L,上、下两边均与磁场边界平行。锊线框以初速度6无旋转的水平抛出,线框恰能
匀速进入磁场,重力加速度为g,不计空气阻力,则下列说法正确的是()
××××××
A.线框ab边离开磁场瞬间比线框ab边进入磁场的瞬间所受的安培力大
B.线框抛出时ab边距离磁场上边界的高度为mg八
2B4L4
C.线框通过磁场的过程中产生的热量为mgL
D,线框通过磁场的过程中水平位移为
B2LDv。
mgR
二、多选题(每题4分,共16分。每题有多个正确选项,全选对得4分,选对但不全的得2
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分,错选或多选不得分)
11.下列说法中正确的是()
◆各速米区间的分子数
占总分子数的百分比
①
②
分子的速率
分子间作用力与
两分子系统的势能E。与
氧气分子的速率分布图像
分子间距离的关系
两分子间距离的