内容正文:
[课时作业·巩固提升] 精选名校试题 考点全面覆盖
[基础题组]
一、单项选择题
1.如图所示是两个互连的金属圆环,小金属环的电阻是大金属环电阻的二分之一,磁场垂直穿过大金属环所在区域.当磁感应强度随时间均匀变化时,在大环内产生的感应电动势为E,则a、b两点间的电势差为( )
A.EE
B.
C.E
D.E
解析:a、b间的电势差等于路端电压,而小环电阻占电路总电阻的E,B正确.
,故Uab=
答案:B
2.(2020·上海闵行区模拟)如图所示,在外力的作用下,导体杆OC可绕O轴沿半径为r的光滑的半圆形框架在匀强磁场中以角速度ω匀速转动,磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向里,A、O间接有电阻R,杆和框架电阻不计,则所施外力的功率为( )
A.
B.
C.
D.
解析:因为OC是匀速转动的,根据能量守恒可得,P外=P电=,选项C正确.
,联立解得P外=,又因为E=Br·
答案:C
3.如图所示,PN与QM两平行金属导轨相距1 m,电阻不计,两端分别接有电阻R1和R2,且R1=6 Ω,ab杆的电阻为2 Ω,在导轨上可无摩擦地滑动,垂直穿过导轨平面的匀强磁场的磁感应强度为1 T.现ab以恒定速度v=3 m/s匀速向右运动,这时ab杆上消耗的电功率与R1、R2消耗的电功率之和相等.则( )
A.R2=6 Ω
B.R1上消耗的电功率为0.75 W
C.a、b间电压为3 V
D.拉ab杆水平向右的拉力为0.75 N
解析:杆ab消耗的功率与R1、R2消耗的功率之和相等,则=0.375 W,故B、C错误;F拉=F安=BIab·l=0.75 N,故D正确.
=0.75 A,Uab=E-Iab·Rab=1.5 V,PR1==Rab,解得R2=3 Ω,故A错误;E=Blv=3 V,则Iab=
答案:D
4.(2020·东北三省四市模拟)如图所示,一个各短边边长均为L、长边边长为3L的导线框,以速度v匀速通过宽度为L的匀强磁场区域,磁感应强度大小为B、方向垂直于纸面,导线框沿纸面运动,开始时导线框右侧短边ab恰好与磁场左边界重合,此过程中最右侧短边两端点a、b两点间电势差Uab随时间t变化关系图象正确的是( )
解析:0~L过程中,ab边切割磁感线产生的感应电动势E1=BLv,a点电势高于b,则Uab=BLv,故D正确,A、B、C错误.
×3BLv=BLv;L~2L过程中感应电动势E2=2BLv,a点电势低于b,则Uab<0;2L~3L过程中,最左边切割磁感应线产生的感应电动势E3=3BLv,a点电势高于b,则Uab=
答案:D
5.(2020·山东泰安高三检测)如图所示,用粗细均匀、电阻率也相同的导线绕制的直角边长为l或2l的四个闭合导体线框a、b、c、d,以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场,在每个线框刚进入磁场时,M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud,下列判断正确的是( )
[来源:学*科*网Z*X*X*K]
A.Ua<Ub<Uc<Ud
B.Ua<Ub<Ud<Uc
C.Ua=Ub<Uc=Ud
D.Ub<Ua<Ud<Uc
解析:由电阻定律,各个线框的电阻分别为Ra=ρ,M、N两点间的电压分别为Ua=Ea-Iara,Ub=Eb-Ibrb,Uc=Ec-Icrc、Ud=Ed-Idrd,分别代入数据,可知Ua<Ub<Ud<Uc,故选项B正确.
,Id=,Ic=,Ib=,各边产生的感应电动势分别为Ea=Blv,Eb=Blv,Ec=2Blv,Ed=2Blv,由闭合电路的欧姆定律知,各线框中的感应电流分别为Ia=,rd=ρ,rc=ρ,rb=ρ,设线框刚进入磁场时的速度为v,各线框MN边有效切割长度分别为l、l、2l、2l,各线框MN边的内阻分别为ra=ρ,Rd=ρ,Rc=ρ,Rb=ρ
答案:B
二、多项选择题
6.(2020·东北三校联考)如图所示,M、N为同一水平面内的两条平行长直导轨,左端串接电阻R,金属杆ab垂直导轨放置,金属杆和导轨的电阻不计,杆与导轨间接触良好且无摩擦,整个装置处于竖直方向的匀强磁场中.现对金属杆施加一个与其垂直的水平方向的恒力F,使金属杆从静止开始运动.在运动过程中,金属杆的速度大小为v,R上消耗的总能量为E,则下列关于v、E随时间变化的图象可能正确的是( )
解析:对金属杆ab施加一个与其垂直的水平方向的恒力F,使金属杆从静止开始运动.由于金属杆切割磁感线产生感应电动势和感应电流,受到随速度的增大而增大的安培力作用,所以金属杆做加速度逐渐减小的加速运动,当安培力增大到等于水平方向的恒力F时,金属杆做匀速直线运动,vt图象A正确,B错误.根据焦耳定律得E=I2Rt=t,由此可知当金属杆速度逐渐增大时,Et图象的斜率逐渐增大,当金属杆匀速运动时,E与t