2020届高考回归复习—电学选择之电磁感应中线框穿越磁场问题

高考回归复习—电学选择之电磁感应中线框穿越磁场问题 1．如图所示，在方向垂直于纸面向里，磁感应强度为B 的匀强磁场区域中有一个由均匀导线制成的单匝矩 形线框abcd ，线框在水平拉力作用下以恒定的速度 v 沿垂直磁场方向向右运动，运动中线框 ab 边始终与磁场右边界平行，线框边长ad =l ，cd =2l ，线框导线的总电阻为R 。则线框离开磁场的过程中（　　） A．通过线框导线的感应电流为 B．线框 ab间的电压为 C．线框 ad边导线消耗的功率为 D．通过线框导线横截面积的电量为 2．如图所示，相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界，磁场的磁感应强度为B，正方形线框abcd边长为L(L<d)，质量为m，将线框在磁场上方高h处由静止释放。如果ab边进入磁场时的速度为v0，cd边刚穿出磁场时的速度也为v0，则从ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中(　　) A．线框中一直有感应电流 B．线框中有一阶段的加速度为重力加速度g C．线框中产生的热量为mg(d＋h＋L) D．线框有一阶段做减速运动 3．如图所示，在光滑的水平面上方有两个磁感应强度大小均为B、方向相反的水平匀强磁场区域，磁场宽度均为L。一个边长为L、电阻为R的单匝正方形金属线框，在水平外力作用下沿垂直磁场方向运动，从如图实线位置Ⅰ进入磁场开始到线框运动到分别有一半面积在两个磁场中的位置Ⅱ时，线框的速度始终为v，则下列说法正确的是（　　） A．在位置Ⅱ时外力F为 B．在位置Ⅱ时线框中的总电流为 C．此过程中回路产生的电能为 D．此过程中通过导线横截面的电荷量为0 4．如图所示，平行虚线之间有垂直于纸面向里的匀强磁场，磁场左右宽度为L，磁感应强度大小为B。一正三角形线圈ABC所在平面与磁场垂直，顶点A刚好与磁场右边界重合，BC边与磁场边界平行，已知正三角形的高为2L，线圈的电阻为R，现让线圈向右以恒定速度v匀速运动，从线圈开始运动到BC边刚好要进入磁场的过程中（　　） A．线圈中感应电流大小不发生变化 B．线圈中感应电动势大小为BLv C．通过线圈截面的电荷量为 D．克服安培力做的功为 5．如图所示，一根导线被弯成半径为R的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面，回路以速度v向右匀速进入磁场，直径PQ始终与MN垂直。从Q点到达边界开始到P点进入磁场为止，下列结论正确的是（　　） A．闭合回路的圆弧形导线不受安培力 B．闭合回路的直导线始终不受安培力 C．闭合回路的感应电动势最大值Em=BRv D．闭合回路的感应电动势平均值=πBRv 6．如图所示，用粗细均匀、总电阻为的导线围成一个边长为的等边三角形闭合线框，线框以速度匀速穿过一个水平方向宽度为，竖直方向足够长的磁场区域，该磁场的磁感应强度为。线框在匀速穿过磁场区域过程中边始终与磁场边界（图中虚线所示）平行，则下列说法正确的是（ ） A．导线框从刚进入磁场到完全进入磁场过程中产生的平均电动势为 B．导线框从刚进入磁场到导线框完全离开磁场过程中，导线框不受安培力作用的时间为 C．导线框边刚进入和刚离开磁场时两间的电势差相等 D．导线框从边进入磁场的水平距离为时刻开始到导线框完全离开磁场过程中通过线框的电荷量为 7．如图所示，在光滑水平面上，边长为L，由同种材料制成的粗细均匀的正方形金属线框abcd以恒定的速度v通过匀强磁场区域，已知cd边平行磁场边界，v垂直边界，线框总电阻为4R，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里，宽度为L，下列说法正确的是（ ） A．在cd边刚进入磁场时ab两端的电压为 B．在cd边刚离开磁场时ab两端的电压为 C．为使线框匀速运动水平拉力大小为 D．通过磁场的整个过程中线框产生的热量为 8．如图所示，有界匀强磁场与斜面垂直，质量为m的正方形线框静止在倾角为30°的绝缘斜面上（位于磁场外），现使线框获得速度v向下运动，恰好穿出磁场，线框的边长小于磁场的宽度，线框与斜面间的动摩擦因数μ=，则下列说法正确的是（　　） A．线框完全进入磁场后做匀速运动 B．线框进入磁场的过程中电流做的功大于穿出磁场的过程中电流做的功 C．线框进入和穿出磁场时，速度平方的变化量与运动距离成正比 D．线框进入和穿出磁场时，速度变化量与运动时间成正比 9．两条平行虚线间存在一匀强磁场，磁感应强度方向与纸面垂直。边长为0.1 m、总电阻为0.01Ω的正方形导线框abcd位于纸面内，cd边与磁场边界平行，如图（a）所示。已知导线框一直向右做匀速直线运动，cd边于t=0时刻进入磁场。线框中感应电动势随时间变化的图线如图（b）所示（感应电流的方向为逆时针时，感应电动势取正）。下列说法正确的是（ ） A．磁感应强度的方向垂直于纸面向