内容正文:
山东省春季高考《电工电子技术与技能》45分钟专题训练专辑,共60份试卷命题与高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固机械制造类理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加机械制造类高考的学生。与本专辑配套的还有山东省单独招生考试《机械制图》《金属加工基础》《液压与气压传动》《钳工加工技术》《极限配合与技术测量》《电工技术基础与技能》45分钟专题训练专辑,欢迎同学和老师们下载使用。
《电工电子技术与技能》
项目二十二:三极管(2)
时间:45分钟 总分:100分
班级________ 姓名________ 学号________ 成绩_________
一、选择题(本题共20小题,每题3分,共60分)
1.三极管按结构可以分为( )
A.NPN 和 PNP 型
B.高频和低频型
C.大功率和小功率型
D.硅管和锗管
2.三极管的放大作用主要体现在( )
A.电压放大
B.电流放大
C.功率放大
D.以上都是
3.对于 NPN 型三极管,要使其正常工作,集电极电压应( )
A.高于基极电压
B.低于基极电压
C.等于基极电压
D.与基极电压无关
4.用万用表的电阻挡测量三极管的两个 PN 结时,如果正向电阻和反向电阻都很小,说明三极管( )
A.正常
B.短路
C.开路
D.性能不稳定
5.在三极管放大电路中,集电极负载电阻的作用是( )
A.限制集电极电流
B.将集电极电流的变化转换为电压的变化
C.为三极管提供偏置电压
D.稳定三极管的工作点
6.三极管的基极电流IB对集电极电流IC的控制能力用( )表示。
A.电流放大系数β
B.穿透电流ICEO
C.集电极最大允许电流ICM
D.反向击穿电压UCEO
7.已知三极管的IB=10μA,IC=1mA,则其电流放大系数β为( )
A.10
B.100
C.1000
D.0.01
8.三极管的发射极电阻RE在电路中主要起( )作用。
A.稳定静态工作点
B.提高电压放大倍数
C.减小输入电阻
D.增大输出电阻
9.在三极管开关电路中,当三极管饱和导通时,其集电极与发射极之间的电压( )
A.近似为零
B.等于电源电压
C.等于基极电压
D.不确定
10.对于锗三极管,其发射结的正向导通电压大约为( )
A.0.3V
B.0.7V
C.1V
D.1.5V
11.在下图中处于饱和状态的晶体管是( )
12.如图所示,处于放大状态的三极管是( )
13.三极管的输入特性曲线是指( )
A.UBE与IB的关系曲线
B.UCE与IC的关系曲线
C.UBE与IC的关系曲线
D.UCE与IB的关系曲线
14.为了提高三极管放大电路的输入电阻,可以采用( )
A.串联负反馈
B.并联负反馈
C.共集电极电路
D.共基极电路
15.三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而( )
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
16.在三极管放大电路中,若静态工作点设置过高,可能会出现( )
A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.线性失真
17.对于一个正常工作的三极管,其集电极与发射极之间的电阻( )
A.正向电阻小,反向电阻大
B.正向电阻大,反向电阻小
C.正反向电阻都小
D.正反向电阻都大
18.以下哪种不是三极管的应用领域?( )
A.信号放大
B.逻辑电路
C.电源稳压
D.光信号转换
19.在三极管的输出特性曲线中,不同的曲线对应不同的( )
A.基极电流
B.集电极电流
C.发射极电流
D.集电极与发射极之间的电压
20.当三极管的集电极与发射极之间的电压UCE固定时,集电极电流IC随基极电流IB的增大而( )
A.线性增大
B.非线性增大
C.先增大后减小
D.保持不变
二、判断题(本题共10小题,每题2分,共20分)
21.三极管的基区宽度越窄,其电流放大能力越强。( )
22.三极管在放大状态下,集电极电流与基极电流始终保持固定的放大倍数关系。( )
23.用万用表测量三极管时,红表笔接某一管脚,黑表笔分别接另外两脚,如果两次测量电阻值都较小,则该三极管为 PNP 型。( )
24.在三极管的输出特性曲线中,当UCE增大到一定程度后,IC基本不再随UCE增大而变化。( )
25.三极管的集电极与发射极之间的反向击穿电压是固定不变的。( )
26.在三极管放大电路中,增加电源电压,三极管的静态工作点会向上移动。( )
27.对于同型号的三极管,锗管的正向导通电压比硅管低,反向饱和电流比硅管大。( )
28.三极管的高频性能主要取决于其基区的电荷存储效应。( )
29.只要三极管的集电极电流没有超过集电极最大允许电流,三极管就不会损坏。( )
30.在三极管的共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位相反。( )
三、综合题(本题共2小题,每小题10分,共20分。)
31.在放大电路中,测得某三极管的各极电流如图所示,请指出三极管各管脚极性和类型。
第31题图
32.某同学用万用表测量正常放大状态的三极管的电压如图所示,请判断三极管的管脚名称、类型和材料。
第32题图
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山东省春季高考《电工电子技术与技能》45分钟专题训练专辑,共60份试卷命题与高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固机械制造类理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加机械制造类高考的学生。与本专辑配套的还有山东省单独招生考试《机械制图》《金属加工基础》《液压与气压传动》《钳工加工技术》《极限配合与技术测量》《电工技术基础与技能》45分钟专题训练专辑,欢迎同学和老师们下载使用。
《电工电子技术与技能》
项目二十二:三极管(2)
时间:45分钟 总分:100分
班级________ 姓名________ 学号________ 成绩_________
一、选择题(本题共20小题,每题3分,共60分)
1.三极管按结构可以分为( )
A.NPN 和 PNP 型
B.高频和低频型
C.大功率和小功率型
D.硅管和锗管
答案:A
解析:三极管按结构分为 NPN 型和 PNP 型,这两种结构的三极管在工作原理和电路连接上有所不同,但都具有放大、开关等基本功能,所以答案是 A。
2.三极管的放大作用主要体现在( )
A.电压放大
B.电流放大
C.功率放大
D.以上都是
答案:D
解析:三极管通过对基极电流的控制,实现对集电极电流的放大,从而可以对电压和功率进行放大,因为功率等于电压与电流的乘积,所以答案是 D。
3.对于 NPN 型三极管,要使其正常工作,集电极电压应( )
A.高于基极电压
B.低于基极电压
C.等于基极电压
D.与基极电压无关
答案:A
解析:NPN 型三极管正常工作时,集电极电压要高于基极电压,这样才能保证集电结反向偏置,发射结正向偏置,从而使三极管处于合适的工作状态,所以答案是 A。
4.用万用表的电阻挡测量三极管的两个 PN 结时,如果正向电阻和反向电阻都很小,说明三极管( )
A.正常
B.短路
C.开路
D.性能不稳定
答案:B
解析:正常三极管的 PN 结正向电阻有一定值,反向电阻较大。如果正向电阻和反向电阻都很小,说明三极管的 PN 结可能短路,无法正常工作,所以答案是 B。
5.在三极管放大电路中,集电极负载电阻的作用是( )
A.限制集电极电流
B.将集电极电流的变化转换为电压的变化
C.为三极管提供偏置电压
D.稳定三极管的工作点
答案:B
解析:集电极负载电阻可以将集电极电流的变化转换为电压的变化,从而实现电压放大,因为电阻两端的电压等于电流与电阻的乘积,当集电极电流变化时,通过负载电阻就能得到放大的电压信号,所以答案是 B。
6.三极管的基极电流IB对集电极电流IC的控制能力用( )表示。
A.电流放大系数β
B.穿透电流ICEO
C.集电极最大允许电流ICM
D.反向击穿电压UCEO
答案:A
解析:电流放大系数β表示基极电流IB对集电极电流IC的控制能力,即IC=βIB,它反映了三极管的放大能力,所以答案是 A。
7.已知三极管的IB=10μA,IC=1mA,则其电流放大系数β为( )
A.10
B.100
C.1000
D.0.01
答案:B
解析:根据电流放大系数β的定义,β=IC/IB,将IB=10μA = 0.01mA,IC=1mA代入可得β=1/0.01=100,所以答案是 B。
8.三极管的发射极电阻RE在电路中主要起( )作用。
A.稳定静态工作点
B.提高电压放大倍数
C.减小输入电阻
D.增大输出电阻
答案:A
解析:发射极电阻R_{E}具有负反馈作用,能够稳定三极管的静态工作点,当温度等因素导致集电极电流变化时,通过RE上的电压变化反馈到基极,从而自动调节基极电流,使静态工作点保持稳定,所以答案是 A。
9.在三极管开关电路中,当三极管饱和导通时,其集电极与发射极之间的电压( )
A.近似为零
B.等于电源电压
C.等于基极电压
D.不确定
答案:A
解析:当三极管饱和导通时,集电极与发射极之间的电压降很小,近似为零,相当于开关闭合,电流可以顺利通过,所以答案是 A。
10.对于锗三极管,其发射结的正向导通电压大约为( )
A.0.3V
B.0.7V
C.1V
D.1.5V
答案:A
解析:锗三极管发射结的正向导通电压一般约为 0.3V,而硅三极管发射结的正向导通电压约为 0.7V,这是两种材料三极管的特性差异,所以答案是 A。
11.在下图中处于饱和状态的晶体管是( )
答案:C
12.如图所示,处于放大状态的三极管是( )
答案:B
13.三极管的输入特性曲线是指( )
A.UBE与IB的关系曲线
B.UCE与IC的关系曲线
C.UBE与IC的关系曲线
D.UCE与IB的关系曲线
答案:A
解析:三极管的输入特性曲线是指基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB的关系曲线,它反映了三极管在不同UBE下的基极电流变化情况,所以答案是 A。
14.为了提高三极管放大电路的输入电阻,可以采用( )
A.串联负反馈
B.并联负反馈
C.共集电极电路
D.共基极电路
答案:C
解析:共集电极电路(射极输出器)的特点之一是输入电阻高,输出电阻低,通过采用共集电极电路可以提高放大电路的输入电阻,串联负反馈也可以提高输入电阻,但相比之下,共集电极电路对输入电阻的提升效果更明显,所以答案是 C。
15.三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而( )
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
答案:A
解析:三极管的反向饱和电流ICBO会随温度升高而增大,这是因为温度升高导致半导体中的少数载流子数量增加,从而使反向饱和电流增大,所以答案是 A。
16.在三极管放大电路中,若静态工作点设置过高,可能会出现( )
A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.线性失真
答案:B
解析:静态工作点设置过高,会使三极管在输入信号的正半周容易进入饱和区,导致输出信号出现饱和失真,而截止失真通常是静态工作点设置过低引起的,交越失真一般出现在乙类功率放大电路中,线性失真与电路的线性度有关,所以答案是 B。
17.对于一个正常工作的三极管,其集电极与发射极之间的电阻( )
A.正向电阻小,反向电阻大
B.正向电阻大,反向电阻小
C.正反向电阻都小
D.正反向电阻都大
答案:A
解析:正常三极管的集电极与发射极之间相当于一个 PN 结,正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大,所以答案是 A。
18.以下哪种不是三极管的应用领域?( )
A.信号放大
B.逻辑电路
C.电源稳压
D.光信号转换
答案:D
解析:三极管可以用于信号放大、构成逻辑电路以及在一些电路中起到控制作用,但一般不用于光信号转换,光信号转换通常由光电二极管、光电三极管等专门的光电器件来完成,所以答案是 D。
19.在三极管的输出特性曲线中,不同的曲线对应不同的( )
A.基极电流
B.集电极电流
C.发射极电流
D.集电极与发射极之间的电压
答案:A
解析:三极管的输出特性曲线是指在不同的基极电流IB下,集电极电流IC与集电极与发射极之间的电压UCE的关系曲线,所以不同的曲线对应不同的基极电流,答案是 A。
20.当三极管的集电极与发射极之间的电压UCE固定时,集电极电流IC随基极电流IB的增大而( )
A.线性增大
B.非线性增大
C.先增大后减小
D.保持不变
答案:B
解析:三极管的IC与IB的关系是非线性的,当UCE固定时,IC随IB的增大而非线性增大,这是由三极管的内部特性决定的,所以答案是 B。。
二、判断题(本题共10小题,每题2分,共20分)
21.三极管的基区宽度越窄,其电流放大能力越强。( )
答案:对
解析:基区宽度窄,发射区注入基区的载流子更容易到达集电区,减少了在基区的复合,使得更多的载流子形成集电极电流,从而电流放大能力增强,所以该说法正确。
22.三极管在放大状态下,集电极电流与基极电流始终保持固定的放大倍数关系。( )
答案:错
解析:三极管的电流放大系数β会受温度、频率等因素影响,并不是始终保持固定的放大倍数关系,当这些因素变化时,集电极电流与基极电流的比例也会改变,所以该说法错误。
23.用万用表测量三极管时,红表笔接某一管脚,黑表笔分别接另外两脚,如果两次测量电阻值都较小,则该三极管为 PNP 型。( )
答案:对
解析:对于 PNP 型三极管,当红表笔接基极时,黑表笔接发射极和集电极,由于 PNP 型三极管的发射极和集电极都是 P 型半导体,此时相当于正向偏置,电阻值较小,所以该说法正确。
24.在三极管的输出特性曲线中,当UCE增大到一定程度后,IC基本不再随UCE增大而变化。( )
答案:对
解析:当UCE增大到一定程度后,集电结的电场已经足够强,能够收集到从发射区扩散过来的大部分载流子,此时再增大UCE,IC基本不变,这一区域称为饱和区,所以该说法正确。
25.三极管的集电极与发射极之间的反向击穿电压是固定不变的。( )
答案:错
解析:三极管的集电极与发射极之间的反向击穿电压会受温度等因素影响,温度升高时,反向击穿电压会有所降低,所以不是固定不变的,该说法错误。
26.在三极管放大电路中,增加电源电压,三极管的静态工作点会向上移动。( )
答案:错
增加电源电压不一定会使静态工作点向上移动,静态工作点还与基极偏置电阻、发射极电阻等元件参数有关,只有当其他条件不变时,增加电源电压可能会使集电极电流和集电极与发射极之间的电压发生变化,从而影响静态工作点,但不能简单地说会向上移动,所以该说法错误。
27.对于同型号的三极管,锗管的正向导通电压比硅管低,反向饱和电流比硅管大。( )
答案:对
解析:锗管的正向导通电压一般约为 0.3V,硅管约为 0.7V;锗管的反向饱和电流比硅管大,这是由锗和硅两种材料的半导体特性决定的,所以该说法正确。
28.三极管的高频性能主要取决于其基区的电荷存储效应。( )
答案:对
解析:在高频情况下,基区的电荷存储效应会影响三极管的开关速度和信号放大能力,导致三极管的高频性能下降,所以高频性能主要取决于此,该说法正确。
29.只要三极管的集电极电流没有超过集电极最大允许电流,三极管就不会损坏。( )
答案:错
三极管除了集电极电流不能超过ICM外,还受到集电极与发射极之间的电压、功率损耗等因素限制,例如当集电极与发射极之间的电压过高,即使集电极电流未超ICM,也可能会导致三极管损坏,所以该说法错误。
30.在三极管的共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位相反。( )
答案:对
解析:共发射极放大电路由于三极管的电流放大作用和电路的结构特点,使得输出电压与输入电压相位相反,这是该电路的基本特性之一,所以该说法正确。
三、综合题(本题共2小题,每小题10分,共20分。)
31.在放大电路中,测得某三极管的各极电流如图所示,请指出三极管各管脚极性和类型。
第31题图
答案:PNP 型:管脚①C②E③B.
32.某同学用万用表测量正常放大状态的三极管的电压如图所示,请判断三极管的管脚名称、类型和材料。
第32题图
答案:1、2、3 脚分别为发射极、集电极、基极,管型为 NPN 型,硅材料
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